為了支持英特爾和 AMD 下一代平臺，三星準備推出一系列全新的 DDR5 內(nèi)存模塊，比如基于 16Gb 和 24Gb 的 DDR5 芯片的業(yè)界首款 512GB RDIMM/LRDIMM。在近期三星和 AMD 的內(nèi)存研討會上，雙方探討了 DDR5 內(nèi)存技術上的新方向，同時三星透露了其 DDR5 的開發(fā)計劃。

　　據(jù) TomsHardware 報道，三星計劃在 2023 年初，推出 32Gb 的 DDR5 芯片，使其能夠在 2023 年末或 2024 年初制造 1TB 的內(nèi)存模塊。32Gb DDR5 芯片用于客戶端 PC 的首款產(chǎn)品是單條 32GB 內(nèi)存，大概在 2023 年末就能看到。三星 DRAM 規(guī)劃部門的工程師 Aaron Choi 表示，32Gb DDR5 芯片目前正在一個新的制程節(jié)點(低于 14nm)上進行開發(fā)。

　　三星表示，一旦使用 32Gb DDR5 芯片的內(nèi)存在產(chǎn)量上與 16Gb DDR5 相當，那么單面 32GB 的內(nèi)存價格將變得非常合理，即便用戶想為系統(tǒng)配備 128GB 內(nèi)存也不用花太多的錢。雖然內(nèi)存容量很重要，但對于那些發(fā)燒友來說，內(nèi)存的頻率也很重要，為此三星積極地提高 DDR5 內(nèi)存的頻率。

　　隨著英特爾和 AMD 下一代平臺的發(fā)布，DDR5 內(nèi)存頻率將提高到 5200MHz 到 5600MHz 的區(qū)間。部分內(nèi)存廠商會制造 6800MHz 到 7000MHz 的高頻 DDR5 內(nèi)存，不過這需要提高電壓來實現(xiàn)。三星計劃到 2025 年，在 JEDEC 標準的 1.1V 電壓下，將 DDR5 的頻率提高到 7200MHz 或以上，不過沒有透露具體的產(chǎn)品什么時候出來，這意味著市面上可能會有 10000MHz 或以上頻率的 DDR5 內(nèi)存出售。
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