在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器(HBM)技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。

圖源：三星/侵刪

　　最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。

　　三星電子副總裁兼 DRAM 產品和技術團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發出速度為 9.8Gbps 的 HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。

　　三星正在開發 HBM4，目標是到 2025 年推出。據悉，三星電子正在積極開發 HBM4 的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵合 (HCB) 優化的非導電膠膜 (NCF) 組裝技術等。

　　美光也在積極籌備 HBM 生產，于 11 月 6 日在臺中開設了新工廠。美光表示，這個新設施將集成先進的測試和封裝功能，并將致力大規模生產 HBM3E 以及其他產品。此次擴展旨在滿足人工智能、數據中心、邊緣計算和云服務等各種應用日益增長的需求。

　　美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 透露，該公司計劃在 2024 年初開始大量出貨 HBM3E。美光的 HBM3E 技術目前正在接受 NVIDIA 的認證。最初的 HBM3E 產品將采用 8-Hi 堆棧設計，容量為 24GB，帶寬超過 1.2TB / s。

　　此外，美光計劃在 2024 年推出更大容量的 36GB 12-Hi 堆棧 HBM3E。在早些時候的一份聲明中，美光曾預計，到 2024 年，新的 HBM 技術將貢獻“數億美元”的收入。