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據 TheLec 報道，三星電子 2020 年開始在韓國平澤市建設的 P3 晶圓廠，將在下月開始設備的安裝，計劃在今年下半年建成。
三星平澤 P3 晶圓廠下月開始設備的安裝，是韓國媒體率先援引消息人士的透露報道的，設備的進入及安裝將持續到 7 月份，較最初計劃的時間將提前 1 個月。
三星電子在平澤建設的 P3 工廠，占地 70 萬平方米，將成為全球園區最大的晶圓廠，是三星電子 P2 工廠的 1.7 倍。當然，工廠的投資也會相當龐大，他們計劃未來幾年最少投資 30 萬億韓元，最多則投資 50 萬億韓元，也就是至少投資 240 億美元，最高投資 400 億美元。
從外媒的報道來看，三星電子平澤 P3 晶圓廠，規劃的是一座既生產存儲芯片，又生產邏輯芯片的工廠，率先投產的是 NAND 閃存，隨后是 DRAM，隨后是采用 3nm 工藝為其他廠商代工晶圓的生產線。
三星電子平澤 P3 晶圓廠率先開始生產 NAND 閃存，也就意味著工廠設備的安裝，將從 NAND 閃存生產設備開始，外媒在報道中是表示在 5 月份的第一個周就將開始安裝。
值得注意的是，三星電子的這一座工廠，將大量采用極紫外光刻機。外媒在報道中就提到，這一工廠的 NAND 閃存生產線，將采用極紫外光刻機生產第 7 代 176 層 V-NAND 閃存，為其他廠商代工晶圓的 3nm 工藝，也需要極紫外光刻機。
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